近日，有报道提及，截至2025年，国内芯片设备的国产化比率大概达到30%，而预计到2026年，这一比例将提升至35%。需要说明的是，这个比率特指新建的芯片生产线上的国产化程度，并不涉及老旧生产线的情况。
老旧生产线的设备，仍以国外产品为主。芯片生产线本质上是一个完整的生态系统，一般情况下不会中途更换供应商，只有当设备采购受限时，才会考虑转换。但必须关注的是，尽管整体国产化率有望达到35%，但有一种设备的国产化率仍然不足5%，几乎完全依赖进口，那就是光刻机。
2024年和2025年这两年间，中国进口光刻机的金额均超过100亿美元，其中2024年为107亿美元，2025年为106亿美元。预计2026年的进口金额会略有减少，但这并非因为国产自给率有所提高，而是由于近几年从ASML购入了大量光刻机。
如下所示，这是近五年中国从ASML购买光刻机的金额统计，总额高达300亿欧元，相当于2000多亿元人民币。过去采购数量较多，因此2026年的采购量相对减少，并非由于技术自给率提升所致。
从技术角度分析，目前国内的技术水平还停留在干式DUV阶段，甚至还没有达到浸润式DUV的级别。而干式DUV的能力远远无法满足需求，通过多次曝光，其最高能实现28nm的工艺水平。浸润式DUV则通过多重曝光，才能达到7nm，而要在5nm工艺上取得突破，最佳选择是EUV光刻机。
由此可见，目前国内的光刻机确实无法满足生产需求，技术水平尚有较大差距。那么为何光刻机的研发如此艰难呢？关键在于光刻机技术涉及光学、力学、物理学等多个领域，非常复杂。同时，中国正面临外部压力，需要独立建立完整的供应链，这无疑是一项艰巨的任务。相比之下，ASML整合了全球供应链资源，其自研元件仅占光刻机的20%，其余80%来自其他供应商，而中国目前不具备这样的条件。
尽管光刻机研发难度极大，我们仍必须努力攻克这一难题，否则将无法进入先进工艺领域。至于突破浸润式DUV和EUV技术需要多长时间，目前尚无人知晓，只能拭目以待。
