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张贝贝执笔
丁萍编辑
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SK海力士公布财报，创下收入、营业利润、利润等多项历史新高，市场却未见积极回应。7月29日上午，SK海力士（000660.KS）公布的第二季财报显示，实现销售额79.32万亿韩元，同比增长257%；营业利润达60.54万亿韩元，同比增长557%，这一成绩超越了2025年全年的预期。然而，资本市场并未因此高涨。市场的预期与这份成绩单存在差距。分析师先前普遍预测营收约为83.9万亿韩元，营业利润预计为64.2万亿韩元。这一预期落差导致资本市场作出负面反应。同日，SK海力士韩股开盘后上涨随即回落，最终收跌9.61%。与6月25日股价高点2987韩元/股相比，海力士股价跌至1401韩元，跌幅达半数。
值得注意的是，SK海力士股价在6月25日已经见顶，比这份财报的发布早了整整一个月。换言之，主跌浪在财报发布前已经结束，财报日的下跌更像是“补刀”，让市场早已定价的东西首次得到官方确认。业绩新高而股价大跌的情景并非孤例。不久前（7月7日），三星电子尽管公布第二季度预计销售额171万亿韩元，同比增长129%，却同样遭遇抛售，当日股价收跌6.92%。
当行业两大巨头均以“创纪录的业绩”换来了“股价下跌”后，问题已非个别公司事件。市场究竟在担忧什么？
存储周期可能正在转变。妙投分析认为，资本市场的核心关切在于存储企业是否将告别“暴涨叙事”，业绩增长能否持续。海力士的处境颇具代表性。2026年第一季度，通用DRAM价格环比上涨约60%；到第二季度，涨幅减缓，收窄至约30%。价格波动是海力士过去四个季度（2025Q3–2026Q2）利润快速增长的关键。
现在，这一驱动因素正在减慢，市场的反应却是“存储周期是否到顶？”更为微妙的是，海力士处于一个敏感的位置：它未能充分受益于通用DRAM的涨价，同时HBM的增长也未能完全弥补这一差距。公司战略性地将先进产能和TSV/封装资源投向HBM，导致通用DRAM bit供应减少，未能充分把握现货市场的上涨红利（HBM耗用晶圆约是标准DDR5的3倍）。
另一方面，HBM（尤其是HBM3E/4）通过LTA长协锁定价格，不随现货市场同步波动。价格进出之间的差距，显著拉低了海力士DRAM混合平均售价。尽管整体DRAM混合售价上涨约30%，但同期一般型DRAM合约价涨幅高达58%~63%（TrendForce数据）。
差距显而易见：他人DRAM涨了60%，海力士仅涨了30%。摩根士丹利亚欧科技研究主管 Shawn Kim在财报前（2026年7月21日）曾提示，AI存储热潮或接近拐点，DRAM合约价或于2026年Q4见顶，盈利动力可能减弱。
更为关键的是，如果“涨幅放缓”已是当前现实，那么“涨价见顶”才是市场最深的忧虑。存储行业的价格斜率正在收窄。TrendForce预测，2026年Q3传统DRAM环比涨幅为13%至18%，NAND Flash环比涨幅为10%至15%，与前两个季度60%-100%的暴涨相比明显回落。这意味着存储价格暴涨的阶段可能已经结束。
产业链已显现明确信号。消费市场难以持续承受高价格，消费者拒绝为溢价买单，PC与手机厂商也不再无条件提高存储采购成本。当下游买方宁愿“断供”而非继续接受高价时，涨价周期的尾声或许已近。若存储价格于2027年回落，包括海力士在内的存储企业业绩很可能随之下滑。
此时，问题的关键便从“本季能赚多少”转变为
